Name: NTB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NTB082N65S3FOSTR-ND
Price: 9.768 EUR
Availability: InStock

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NTB082N65S3F
Numéro de produit DigiKey	NTB082N65S3FOSTR-ND - Bande et bobine NTB082N65S3FOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTB082N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTB082N65S3F
Description	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 40 A (Tc) 313W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTB082N65S3F Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET® III
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	82mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3410 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	313W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	NTB082

Prix unitaire sans TVA:	8,14000 €
Prix unitaire avec TVA:	9,76800 €

NTB082N65S3F