FDD8453LZ-F085 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDD8453LZ-F085
Numéro de produit DigiKey	FDD8453LZ-F085TR-ND - Bande et bobine FDD8453LZ-F085CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD8453LZ-F085
Description	MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 50 A (Tc) 118W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 64 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Série PowerTrench®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3515 pF @ 20 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Dissipation de puissance (max.) 118W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,7mohms à 15A, 10V	Numéro de produit de base FDD8453
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (4)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
NVTFS5C460NLTAG	onsemi	39	488-NVTFS5C460NLTAGCT-ND	1,73000 €	Recommandation fabricant
DMNH4006SK3Q-13	Diodes Incorporated	2 455	31-DMNH4006SK3Q-13CT-ND	1,83000 €	Similaire
DMTH4007LK3-13	Diodes Incorporated	0	DMTH4007LK3-13DICT-ND	1,29000 €	Similaire
IPD75N04S406ATMA1	Infineon Technologies	2 003	IPD75N04S406ATMA1CT-ND	1,52000 €	Similaire

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Prix unitaire sans TVA:	1,70000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,04000 €

FDD8453LZ-F085