2SJ652-1E onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

2SJ652-1E est obsolète et n'est plus fabriqué.

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2SJ652-1E
Numéro de produit DigiKey	2SJ652-1EOS-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	2SJ652-1E
Description	MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 28 A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Trou traversant TO-220F-3SG
Modèles EDA/CAO	2SJ652-1E Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	28 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	38mohms à 14A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4360 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220F-3SG
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	2SJ652