Name: DN2535N3-G-P003
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-DN2535N3-G-P003TR-ND
Price: 1.02 EUR
Availability: InStock

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DN2535N3-G-P003
Numéro de produit DigiKey	150-DN2535N3-G-P003TR-ND - Bande et bobine 150-DN2535N3-G-P003CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	DN2535N3-G-P003
Description	MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N, mode de déplétion 350 V 120mA (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92 (TO-226)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DN2535N3-G-P003 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N, mode de déplétion
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	350 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	0V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25ohms à 120mA, 0V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	300 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-92 (TO-226)
Boîtier	TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
Numéro de produit de base	DN2535