Name: IRF9317TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9317TRPBFTR-ND
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

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IRF9317TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF9317TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF9317TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF9317TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF9317TRPBF
Description	MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 16 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF9317TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,6mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2820 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SO
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	IRF9317