8-SOIC
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IRF3000

Numéro de produit Digi-Key
IRF3000-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF3000
Fournisseur
Description
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
Description détaillée
Canal N 300 V 1,6 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Référence client
Fiche technique Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Tube
Statut de la pièce
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
300 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
400mOhms à 960mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
730 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SO
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Classifications environnementales et d'exportation
AttributDescription
Statut RoHSNon conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)1 (illimité)
Statut REACHREACH - Non concerné
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Ressources supplémentaires
AttributDescription
Autres noms
*IRF3000
Q1439458
Conditionnement standard95