Name: IPDQ60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND
Price: 10.608 EUR
Availability: InStock

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IPDQ60R022S7XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPDQ60R022S7XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPDQ60R022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPDQ60R022S7XTMA1
Description	HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 24 A (Tc) 416W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPDQ60R022S7XTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ S7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	24 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	12V
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 23A, 12V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,44mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	150 nC @ 12 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5639 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	416W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HDSOP-22-1
Boîtier	Module 22-PowerBSOP
Numéro de produit de base	IPDQ60R