Name: DMN3061SVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3061SVTQ-7-ND
Price: 0.492 EUR
Availability: InStock

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DMN3061SVTQ-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMN3061SVTQ-7-ND
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3061SVTQ-7
Description	MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 3,4 A (Ta) 880mW (Ta) Montage en surface TSOT-26
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,4 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	60mohms à 3,1 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6,6nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	278pF à 15V
Puissance - Max.	880mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Boîtier fournisseur	TSOT-26
Numéro de produit de base	DMN3061

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