Grille en tranchée FS (Field-Stop) STGWA50IH65DF

Les IGBT de 650 V à commutation douce de STMicroelectronics sont optimisés en termes de pertes de commutation et de conduction

Image de l'IGBT à grille en tranchée FS STGWA50IH65DF de STMicroelectronicsLa série IH d'IGBT de 650 V à commutation douce de STMicroelectronics a été développée à l'aide d'une structure brevetée avancée à grille en tranchée à champ limité (Field-Stop), dont les performances sont optimisées en termes de pertes de commutation et de conduction pour une commutation douce. Une diode de roue libre à faible chute de tension directe est incluse. Il en résulte un produit spécialement conçu pour optimiser le rendement de toutes les applications résonnantes et à commutation douce.

Fonctionnalités
  • Conçu pour une commutation douce uniquement
  • Température maximale de jonction : TJ = 175°C
  • VCE(sat) = 1,5 V (typ.) à IC = 50 A
  • Courant de queue réduit
  • Distribution stricte des paramètres
  • Faible résistance thermique
  • Diode de roue libre à faible chute de tension dans le même boîtier

STGWA50IH65DF Trench Gate Field-Stop

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponibleAfficher les détails
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650STGWA50IH65DFTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650130 - ImmédiatementAfficher les détails
Date de publication : 2019-03-14