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Utiliser des circuits d'attaque IGBT à fort courant avec une protection intégrée pour une commande moteur industrielle fiable

Par Steven Keeping

Avec la contribution de Rédacteurs nord-américains de Digi-Key

Dans un effort continu visant à réduire les coûts et la consommation d'énergie dans les applications de contrôle industriel, les concepteurs s'orientent vers des moteurs à fort courant continu sans balais (BLDC) haute fréquence. Ces moteurs s'appuient de plus en plus sur des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) plus rapides plutôt que sur des transistors MOSFET pour une commutation plus rapide afin d'accroître la densité de puissance. Cependant, pour fonctionner efficacement et en toute sécurité, les concepteurs doivent inclure des circuits tampons entre la sortie du contrôleur de moteur BLDC et les transistors de puissance IGBT.

Des circuits discrets comprenant des circuits « totem-pole » de transistors à jonctions bipolaires (BJT) peuvent jouer ce rôle de tampon, mais de telles solutions n'offrent généralement pas de protection suffisante contre les transitoires haute tension et à fort courant. Ces circuits ne peuvent pas non plus décaler les niveaux bas de tension de sortie du contrôleur numérique vers les tensions et les courants supérieurs nécessaires pour commander les IGBT. Ajouter ces circuits complique et ralentit également le processus de conception, prend de la place et augmente la nomenclature (BOM).

Pour aborder ces problèmes, une nouvelle génération de circuits d'attaque de grille haute fréquence intégrés, conçus pour les applications impliquant des moteurs BLDC, combine les circuits tampons et les circuits élévateurs nécessaires pour commander les IGBT, tout en intégrant également des circuits de protection. En plus de leurs fonctionnalités permettant d'améliorer le rendement, ces dispositifs nécessitent peu de dispositifs périphériques et fonctionnent à de plus basses températures. Leur empreinte plus petite augmente davantage la densité de puissance d'un moteur haute fréquence et permet de gagner de l'espace.

Cet article traite brièvement des notions de base relatives aux circuits d'attaque, en décrivant le rôle des circuits d'attaque IGBT à fort courant dans les applications de moteurs électriques industriels modernes. Il couvre ensuite les éléments à étudier dans un dispositif de grade industriel pour optimiser la protection et le rendement, tout en réduisant les coûts et la complexité. Des exemples de circuit d'attaque de ROHM Semiconductor, Texas Instruments et ON Semiconductor sont présentés tout au long de cet article, ainsi que la manière de les intégrer efficacement dans une conception de moteur.

Notions de base relatives aux circuits d'attaque de moteur BLDC

Un moteur électrique de type CC triphasé ordinaire intègre un mouvement de rotor induit par le champ magnétique tournant généré par l'alimentation des enroulements en une séquence contrôlée (commutation). La vitesse du rotor est proportionnelle à la fréquence de fonctionnement du moteur. La modulation de largeur d'impulsion (PWM) se superpose à la fréquence de fonctionnement de base pour contrôler le courant, le couple et la puissance de démarrage.

Un fonctionnement haute fréquence offre quelques avantages inhérents. Par exemple, il permet de diminuer l'ondulation du courant, un artéfact du courant alternatif (CA) d'entrée après redressement, ce qui réduit par conséquent la taille et le coût des composants passifs nécessaires au filtrage. Un fonctionnement haute fréquence réduit également la force électromotrice (FEM) variable qui peut provenir d'une entrée sinusoïdale imparfaite dans les bobines d'un moteur, ce qui amoindrit les vibrations et l'usure du moteur. En général, la fréquence de commutation accroît la densité de puissance, ce qui permet d'utiliser des moteurs de plus petite taille pour une puissance de sortie donnée.

Même s'il existe des variations, un système de commande en boucle fermée type fonctionnant à haute fréquence comprend :

  • Une entrée de contrôle de vitesse, un contrôleur qui supervise la commutation du moteur en générant la modulation PWM appropriée au circuit d'attaque
  • Un circuit d'attaque qui commute les transistors de puissance haut potentiel et bas potentiel
  • Des transistors de puissance, dans une topologie à demi-pont en H, qui alimentent les bobines du moteur

Dans un moteur BLDC contrôlé par un capteur, la boucle de contrôle est fermée par une rétroaction provenant de capteurs à effet Hall qui contrôlent l'axe de rotation du moteur (Figure 1). Les modèles sans capteur calculent la position du moteur à partir de la force contre-électromotrice (FCEM). (Pour en savoir plus sur la conception d'un système de commande complet en boucle fermée pour des moteurs BLDC triphasés avec et sans capteur, consultez les articles de Digi-Key sur l'alimentation et la commande de moteurs CC sans balais, la raison et la manière de commander des moteurs CC sans balais triphasés de façon sinusoïdale et la commande de moteurs BLDC sans capteur via la force contre-électromotrice.)

Schéma du système de commande en boucle fermée MSP430 de Texas Instruments pour un moteur BLDC triphaséFigure 1 : Système de commande en boucle fermée type pour un moteur BLDC triphasé comprenant un contrôleur, un circuit d'attaque et un transistor de puissance à demi-pont en H. Ce système de commande utilise des capteurs à effet Hall pour le circuit de rétroaction, bien que les systèmes sans capteur soient également populaires. (Source de l'image : Texas Instruments)

Le circuit d'attaque est un composant clé dans la conception d'un contrôleur de moteur BLDC. Il correspond essentiellement à un amplificateur de puissance qui accepte une faible puissance d'entrée provenant du contrôleur de moteur BLDC et qui produit en retour un fort courant d'attaque d'entrée pour les grilles des IGBT de puissance haut potentiel et bas potentiel dans une topologie à demi-pont en H. Cela dit, les dernières versions des circuits d'attaque utilisés pour fonctionner à haute fréquence sont largement intégrées et permettent d'en faire bien plus.

Avantages des circuits d'attaque IGBT intégrés

Il est possible de créer un circuit d'attaque IGBT à partir de composants discrets. Ce schéma présente un circuit « totem-pole » de transistor à jonctions bipolaires (BJT) conçu pour alimenter un transistor de puissance (Figure 2). Dans ce cas, un MOSFET plus traditionnel est utilisé, mais la configuration est applicable à un IGBT.

Schéma d'un circuit d'attaque MOSFET totem-pole BJT de Texas InstrumentsFigure 2 : Un circuit d'attaque MOSFET totem-pole BJT fonctionne correctement, mais il inverse la tension, phénomène provoqué par un courant « shoot-through », et n'offre pas assez de protection. (Source de l'image : Texas Instruments)

Les deux inconvénients majeurs de ce circuit sont : la tension inversée à la sortie et un courant « shoot-through » produit en cas de surtension transitoire de la grille. De plus, lors de la mise sous tension et hors tension (avant que la tension d'alimentation du circuit d'attaque BJT n'atteigne une tension de fonctionnement optimale), l'IGBT peut être affecté par la combinaison d'une haute tension et d'un fort courant. Ce phénomène augmente la dissipation de puissance et peut provoquer une surchauffe ainsi que des dommages permanents. Même si le concepteur peut ajouter les circuits de protection requis pour respecter les exigences strictes en matière de sécurité relatives aux moteurs BLDC industriels, la conception reste complexe et les composants additionnels augmentent le coût, la complexité et la taille.

Le manque de décalage des niveaux de tension est également un autre problème lié aux circuits totem-pole BJT discrets. Un contrôle de puissance numérique supervise désormais la commande de moteur BLDC, mais ce contrôle permet de fournir uniquement une sortie de faible courant/basse tension. Par exemple, le signal PWM provenant du contrôleur numérique correspond souvent à un signal logique de 3,3 V, ce qui ne permet pas d'activer efficacement un IGBT. Un décalage de niveau est requis pour amplifier les signaux PWM à faible courant/basse tension du contrôleur en signaux PWM à fort courant/haute tension (généralement entre 9 V et 12 V) nécessaires pour activer les IGBT.

En dehors des avantages évidents, tels que la réduction de la complexité de conception, une durée de développement compressée et une taille plus petite, les circuits d'attaque IGBT à fort courant intégrés permettent de répondre à tous les problèmes d'une solution discrète. Les dispositifs limitent également l'effet du bruit de commutation à haute fréquence en localisant le circuit d'attaque à fort courant proche physiquement du commutateur, tout en réduisant la dissipation de puissance et les contraintes thermiques dans les contrôleurs.

Par exemple, une solution telle que le circuit d'attaque de grille BM60212FV-CE2 de ROHM Semiconductor est idéale pour alimenter une paire d'IGBT haut potentiel et bas potentiel. Le dispositif est compatible avec des signaux logiques de contrôleur de 3,3 V ou 5 V, tout en fournissant une tension d'alimentation flottante haut potentiel jusqu'à 1200 V et une tension de commande de grille maximale de 24 V. La durée maximale d'activation ou de désactivation est de 75 ns. Le courant de sortie maximal est de 4,5 A (avec une crête de 5 A pour 1 µs).

Protection intégrée

La nouvelle génération de circuits d'attaque IGBT tels que le BM60212FV-CE2 inclut des circuits de protection intégrés : principalement le verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) et la protection en cas de désaturation (DESAT).

Le verrouillage en cas de sous-tension est utile pour éviter les surchauffes et les dommages pendant le démarrage. Lors de l'activation, si la tension de grille (VGS pour un transistor MOSFET ou VGE pour un IGBT) est trop basse, le transistor risque d'entrer en région de saturation rapidement, ce qui peut entraîner des pertes de conduction et une dissipation de la puissance. Une illustration de cet effet montre en quoi les valeurs VGS impactent un transistor de puissance (Figure 3). Une fois encore, un MOSFET est utilisé à des fins d'illustration, mais des caractéristiques similaires sont applicables avec un IGBT. La partie à droite de la courbe rouge correspond à la région de saturation, définie par un courant drain vers source constant (ou collecteur vers émetteur pour l'IGBT), qui dépend de la tension VGS et est indépendante de la tension drain-source (VDS).

Graphique d'un courant de drain comparé à une tension drain-source pour des tensions VGSFigure 3 : Des pertes surviennent si le MOSFET ou l'IGBT entre en région de saturation (à droite de la ligne rouge) avant d'être complètement démarré. (Source de l'image : Texas Instruments)

La solution consiste à intégrer un verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) de sorte qu'aucune tension n'alimente la grille tant que l'alimentation n'a pas atteint un niveau de tension suffisant pour garantir que le MOSFET ou l'IGBT peut être activé rapidement, ce qui évite ainsi une dissipation de puissance excessive. Le circuit d'attaque de grille IGBT (et MOSFET) UCC27512MDRSTEP de Texas Instruments, par exemple, inclut un mécanisme UVLO qui relie la tension de sortie du circuit d'attaque à la masse lorsque l'alimentation n'atteint pas un seuil UVLO défini par le concepteur (Figure 4). L'UCC27512MDRSTEP est un circuit d'attaque de grille bas potentiel fournissant un courant absorbé de crête de 8 A.

Schéma du circuit d'attaque IGBT UCC27512MDRSTEP de TI.Figure 4 : Les circuits d'attaque IGBT comme l'UCC27512MDRSTEP de TI incluent un verrouillage en cas de sous-tension pour garantir que le circuit d'attaque n'essaie pas de commuter l'IGBT tant que l'alimentation n'atteint pas un certain seuil. (Source de l'image : Texas Instruments)

Le NCV5702DR2G d'ON Semiconductor est un circuit typique des circuits d'attaque IGBT avec une fonction DESAT. Le circuit de protection compare la tension collecteur-émetteur (VCE) de l'IGBT avec une tension de référence. Si elle est supérieure à cette tension de référence, le circuit d'attaque IGBT coupe la tension de sortie pour protéger le transistor de puissance.

Le NCV5702DR2G est un circuit d'attaque IGBT à fort courant conçu pour faire fonctionner une paire d'IGBT haut potentiel et bas potentiel dans une application impliquant une commande moteur. Le dispositif peut fournir une tension de sortie jusqu'à 22 V issue d'une tension d'entrée de -0,3 V à 5,5 V. Le courant absorbé de crête est de 6,8 A (tension de sortie de 13 V) tandis que le courant source de crête est de 7,8 A (tension de sortie de -5 V).

Le NCV5702DR2G contrôle la tension VCE de l'IGBT une fois que le dispositif est complètement activé ; en fonctionnement normal, la tension VCE doit avoisiner les 3 V pour les IGBT modernes. Si la tension VCE est sensiblement supérieure, cela indique généralement une surintensité ou un événement de contrainte similaire qui peut potentiellement endommager l'IGBT.

Pendant un court laps de temps au démarrage, la tension VCE est généralement élevée (elle se stabilise uniquement à un niveau inférieur après environ 1 µs), alors pour éviter que la protection DESAT ne fonctionne trop tôt, la comparaison avec la tension de référence est retardée selon un « délai de suppression », qui est défini par un condensateur CBLANK (Figure 5).

Schéma du circuit d'attaque IGBT NCV5702DR2G d'ON Semiconductor.Figure 5 : Le circuit de protection DESAT dans le circuit d'attaque IGBT NCV5702DR2G d'ON Semiconductor coupe la tension de sortie vers l'IGBT si la tension VCE dépasse la tension de référence VDESAT-THR. Le condensateur CBLANK définit un délai pour garantir que la protection DESAT ne se déclenche pas avant l'activation complète de l'IGBT. Remarque : ON Semiconductor utilise le NCD570x à titre de référence dans la fiche technique. (Source de l'image : ON Semiconductor)

En plus de ses circuits de protection, les circuits d'attaque IGBT intégrés offrent des performances supérieures aux circuits d'attaque construits à partir de composants discrets, car ils incluent généralement des fonctions permettant d'accroître le rendement.

Optimisation du rendement

La densité de puissance d'un moteur BLDC est en partie déterminée par le rendement ; un moteur BLDC qui dissipe plus de puissance nécessitera une gestion thermique plus importante avec de plus grands dissipateurs thermiques, ce qui augmente la taille de la solution.

Les pertes générées lors de la commutation du transistor sont catégorisées comme statiques ou dynamiques. Les pertes statiques sont générées par des paramètres tels que la résistance parasite du dispositif, alors que les pertes de commutation dynamiques sont issues, en partie, de la capacité parasite.

Lors de la commutation, la dissipation de puissance du transistor est proportionnelle à la tension d'alimentation, à la charge de grille (QG) et à la fréquence de commutation. Pour une tension d'alimentation donnée, l'élévation de la fréquence de commutation pour augmenter la densité de puissance doit être contrée par une réduction de la charge de grille QG si le rendement ne doit pas être compromis.

Un des éléments majeurs contribuant à la charge de grille QG de l'IGBT est la capacité parasite, et une grande partie de cette capacité est la capacité Miller. Alors que l'effet Miller a d'abord été identifié dans les tubes triode, il affecte également les transistors modernes et se manifeste par une augmentation de la capacité d'entrée globale en raison de l'amplification de la capacité entre les terminaux d'entrée et de sortie lors des phases de cycle de commutation. En plus de l'augmentation de la charge de grille QG, il représente un facteur majeur de limitation du gain des transistors à haute fréquence.

La capacité Miller est plus importante lorsque le transistor fonctionne dans la zone dite du « plateau Miller ». Dans cette zone, la tension de grille reste constante (généralement autour de 10 V), tandis que le courant d'attaque de grille se charge ou se décharge. Cela dépend de l'état de commutation de l'IGBT. Si le circuit d'attaque peut être configuré pour fournir un fort courant d'attaque au niveau du plateau Miller, cela peut significativement réduire la durée de la phase et permettre de réduire les pertes de commutation.

En fournissant un fort courant au niveau du plateau Miller, les circuits d'attaque IGBT, tels que le NCV5702DR2G d'ON Semiconductor et le BM60212FV-CE2 de ROHM Semiconductor, réduisent le plateau Miller et garantissent un contrôle plus rigoureux de la commutation. La commande à fort courant d'attaque produit notamment une énergie d'activation réduite (EON) pendant la commutation de l'IGBT, ce qui permet de limiter la dissipation de puissance. De plus, le fort courant du circuit d'attaque IGBT, généré par les transistors à effet de champ (FET) internes basse impédance du circuit d'attaque IGBT, garantit que même à de hautes fréquences de commutation, la puissance provenant du circuit d'attaque est d'abord dissipée par la résistance raccordée en série externe, et peut ensuite être gérée plus facilement d'un point de vue thermique.

L'effet Miller peut également augmenter les pertes lors de la commutation de l'IGBT bas potentiel. Le problème apparaît lorsque la commutation de l'IGBT haut potentiel provoque une surtension (dv/dt) au niveau du collecteur de l'IGBT bas potentiel désactivé. La surtension induit un courant Miller à travers la capacité Miller jusqu'à la capacité de grille de l'IGBT bas potentiel [Figure 6(a)]. Si le chemin de la grille à la masse présente une impédance critique (provoquée par la résistance de grille RG), le courant Miller pourrait entraîner un dépassement du seuil de tension de grille et l'IGBT bas potentiel pourrait s'activer pendant quelques dizaines ou centaines de nanosecondes, ce qui augmenterait les pertes de commutation. Il est possible d'éviter cette situation en implémentant une tension de grille négative, mais cela nécessite en contrepartie une seconde source CC.

Une autre solution consiste à fournir un chemin basse impédance de la grille à la terre. Les circuits d'attaque tels que les modèles NCV5702DR2G et BM60212FV-CE2 offrent une « protection de fixation Miller active » qui implémente ce type de protection en ajoutant une trace de la grille de l'IGBT à la broche de fixation du circuit d'attaque de grille. Une fois que la tension de sortie (VO) descend au-dessous du seuil de fixation Miller active (VMC-THR), la broche de fixation est court-circuitée à la masse et évite que la tension de grille de l'IGBT ne dépasse la tension de seuil et empêche la commutation de l'IGBT bas potentiel [Figure 6(b)]. La broche de fixation est déconnectée de la masse dès que le signal d'activation de l'IGBT est reçu au niveau de l'entrée du circuit d'attaque de grille. Comme la broche de fixation est activée uniquement après la chute de tension de grille au-dessous du seuil VMC-THR, cela garantit que la fonction de cette broche n'interfère pas avec les performances normales de commutation d'arrêt contrôlable par l'utilisateur (en choisissant RG)

Schéma de l'effet Miller pouvant augmenter les pertes dans l'IGBT bas potentiel (cliquez pour agrandir)Figure 6 : L'effet Miller peut augmenter les pertes dans l'IGBT bas potentiel lorsque l'IGBT haut potentiel provoque une surtension dans l'IGBT bas potentiel désactivé. La surtension induit un courant à travers la capacité Miller jusqu'à la capacité de grille de l'IGBT bas potentiel (a). La solution (b) consiste à court-circuiter la broche de fixation à la masse afin d'éviter que la tension n'augmente suffisamment pour activer l'IGBT bas potentiel. (Source de l'image : ON Semiconductor)

Éléments à prendre en considération dans le cadre de la conception de circuits d'attaque IGBT

Même avec un circuit d'attaque IGBT intégré hautes performances, le concepteur doit relever quelques défis pour éviter les pointes de tension, les oscillations et les activations inattendues avec son contrôleur de moteur BLDC. Ces problèmes surviennent généralement à la suite d'une dérivation de l'alimentation de mauvaise qualité, d'une mauvaise configuration et d'un circuit d'attaque non adapté au transistor de puissance.

Par exemple, activer ou désactiver un IGBT implique de charger et de décharger de grandes charges de capacité de, par exemple, 10 000 pF de 0 V à 15 V en 50 ns. Pour ce faire, un courant de 3 A [provenant de I = dV x (C/dt)] est requis. À partir de cet exemple, il est possible de constater que le courant de sortie du circuit d'attaque est directement proportionnel à l'excursion de tension ou à la capacité de charge, et inversement proportionnel au temps de montée. Il est important de noter que dans les situations pratiques, le courant de charge n'est pas régulier. Il s'élève jusqu'à environ 4,7 A. Il est donc important que les charges du circuit d'attaque puissent tolérer cette valeur maximale. Un dispositif tel que le BM60212FV-CE2 de ROHM Semiconductor, qui fournit un courant de sortie de 4,5 A et un courant de crête de 5 A serait une bonne option pour cette application.

En plus de la valeur du courant de crête, le concepteur doit se rappeler que le circuit d'attaque IGBT doit puiser ce courant provenant de l'alimentation en seulement 50 ns. Il est possible de puiser rapidement ce courant en plaçant une paire de condensateurs de découplage parallèles (dont la valeur dépasse d'au moins 10 fois celle de la capacité de charge et avec des courbes d'impédance complémentaires) juste à côté de la broche d'alimentation de polarisation positive (VCC) de l'IGBT. Ces condensateurs doivent présenter la résistance série équivalente (ESR) et l'inductance série équivalente (ESL) les plus faibles possible, et leur longueur de fil doit être minime.

Les circuits d'attaque IGBT nécessitent un chemin très basse impédance pour rediriger le courant vers la terre. Dans le cadre d'une typologie type, il existe trois chemins pour rediriger le courant vers la terre :

  • Entre le circuit d'attaque IGBT et le contrôleur
  • Entre le circuit d'attaque et sa propre alimentation
  • Entre le circuit d'attaque et l'émetteur de l'IGBT commandé

Chacun de ces chemins doit être aussi court et large que possible pour réduire l'inductance et la résistance. En outre, les chemins reliés à la masse doivent être séparés, notamment pour éviter que le courant à la terre provenant de la charge affecte l'interface contrôleur vers circuit d'attaque. Il est judicieux de définir un plan en cuivre du circuit imprimé comme la masse, puis de vérifier que tous les points de masse du circuit redirigent vers le même point physique pour éviter de générer différents potentiels de masse.

Pour faciliter les temps de montée et de descente rapides nécessaires pour une commutation haute fréquence, les conducteurs de courant doivent être tenus à une distance minimale. Étant donné que chaque centimètre de longueur ajoute environ 8 nH d'inductance, un courant di/dt de 9 A/µs génère une tension L(dI/dt) transitoire de 1,9 V par centimètre de longueur de fil, qui se soustrait à la tension de sortie du circuit d'attaque. L'effet pratique correspond à une augmentation du temps de montée pour chaque allongement de la longueur de conducteur entre la sortie du circuit d'attaque IGBT et la grille IGBT. Par exemple, un centimètre supplémentaire de longueur pourrait augmenter le temps de montée de 8 ns à 28 ns. L'augmentation potentielle des interférences électromagnétiques (EMI) due à la commutation rapide représente aussi un inconvénient d'un conducteur plus long.

Enfin, plus la valeur de l'inductance du circuit d'attaque IGBT est faible, meilleures seront les performances de commutation, car cette inductance est, en fait, branchée en série à l'émetteur IGBT et génère une rétroaction qui augmente la durée de commutation. Un circuit d'application typique pour un circuit d'attaque IGBT commutant une paire de transistors de puissance haut potentiel et bas potentiel est présenté à la Figure 7.

Schéma du circuit d'attaque IGBT/MOSFET intégré BM60212FV-CE2 de ROHM SemiconductorFigure 7 : Un circuit d'application typique pour un circuit d'attaque IGBT/MOSFET intégré à fort courant (dans ce cas le BM60212FV-CE2 de ROHM Semiconductor) avec un verrouillage en cas de sous-tension et une fixation Miller. (Source de l'image : ROHM Semiconductor)

Conclusion

L'exigence d'une haute densité de puissance dans les moteurs BLDC industriels a suscité des exigences difficiles à satisfaire en matière de composants électroniques de contrôle avec les solutions de composants MOSFET discrets conventionnels. Les circuits d'attaque IGBT offrent une solution pour le fonctionnement à fort courant et à haute fréquence exigé pour commander les IGBT dans les moteurs BLDC à haute densité de puissance. Étant donné que ces dispositifs ont évolué, ils sont de plus en plus intégrés et faciles à utiliser, et incluent également des fonctionnalités permettant de protéger les transistors de puissance, d'améliorer le rendement et de gagner de l'espace.

Comme le montrent les schémas, pour tirer pleinement parti de ces circuits d'attaque IGBT, les concepteurs doivent faire correspondre le circuit d'attaque et les composants périphériques aux exigences en matière de courant de puissance et de fréquence relatives aux IGBT, tout en faisant très attention à la configuration du circuit imprimé.

Références

  1. Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits, Laszlo Balogh, Texas Instruments, mars 2017.
  2. Low-side gate drivers with UVLO vs BJT totem-pole, Mamadou Diallo, Texas Instruments, février 2018.

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