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Fabricant Conditionnement Série Statut de la pièce Configuration Type de canal Nombre de circuits d'attaque Type de grille Alimentation en tension Tension logique - VIL, VIH Courant - Sortie de crête (source, réception) Type d’entrée Côté haut potentiel - max (amorce) Temps de montée / descente (typ.) Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
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Conditionnement Série Statut de la pièce Configuration Type de canal Nombre de circuits d'attaque Type de grille Alimentation en tension Tension logique - VIL, VIH Courant - Sortie de crête (source, réception) Type d’entrée Côté haut potentiel - max (amorce) Temps de montée / descente (typ.) Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 12 000 - Immédiatement
0,18812 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 14 510 - Immédiatement
0,55000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 14 510 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSTR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 5 000 - Immédiatement
0,20259 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8V, 2V
-
Sans inversion 35V 16ns, 11ns 0°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSCT-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 8 487 - Immédiatement
0,59000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8V, 2V
-
Sans inversion 35V 16ns, 11ns 0°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSDKR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 8 487 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8V, 2V
-
Sans inversion 35V 16ns, 11ns 0°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 12 000 - Immédiatement
54 000 - Stock usine
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0,20306 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 15 163 - Immédiatement
54 000 - Stock usine
?
0,54000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 15 163 - Immédiatement
54 000 - Stock usine
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Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 12 000 - Immédiatement
0,21118 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
5 A, 5 A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 13 702 - Immédiatement
0,56000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
5 A, 5 A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 13 702 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
5 A, 5 A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3111ESXTR-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 30 000 - Immédiatement
0,26398 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5 V ~ 18 V
-
1,4 A, 1,4 A Sans inversion
-
9ns, 8ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3111ESXCT-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 35 567 - Immédiatement
0,70000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5 V ~ 18 V
-
1,4 A, 1,4 A Sans inversion
-
9ns, 8ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3111ESXDKR-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 35 567 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5 V ~ 18 V
-
1,4 A, 1,4 A Sans inversion
-
9ns, 8ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 15 000 - Immédiatement
0,27210 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 20 V (maxi)
-
9 A, 9 A Sans inversion
-
8,3ns, 10,8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17 537 - Immédiatement
0,73000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 20 V (maxi)
-
9 A, 9 A Sans inversion
-
8,3ns, 10,8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17 537 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 20 V (maxi)
-
9 A, 9 A Sans inversion
-
8,3ns, 10,8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 6 000 - Immédiatement
0,27210 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 6 768 - Immédiatement
0,73000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 6 768 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3100CSXTR-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 6 000 - Immédiatement
87 000 - Stock usine
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0,33983 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Avec inversion, Sans inversion
-
13ns, 9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3100CSXCT-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 7 750 - Immédiatement
87 000 - Stock usine
?
0,82000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Avec inversion, Sans inversion
-
13ns, 9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3100CSXDKR-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 7 750 - Immédiatement
87 000 - Stock usine
?
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Avec inversion, Sans inversion
-
13ns, 9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146TR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 6 000 - Immédiatement
0,37904 2 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8V, 2,4V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10ns, 8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
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