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Fabricant Conditionnement Série Statut de la pièce Type FET Tension disruptive (V(BR)GSS) Tension drain-source (Vdss) Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0) Courant de drain (Id) - Max Tension - Coupure (VGS bloqué) à Id Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds Résistance - RDS (passant) Puissance max. Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
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Conditionnement Série Statut de la pièce Type FET Tension disruptive (V(BR)GSS) Tension drain-source (Vdss) Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0) Courant de drain (Id) - Max Tension - Coupure (VGS bloqué) à Id Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds Résistance - RDS (passant) Puissance max. Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
MMBFJ201 Datasheet MMBFJ201 - Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ201TR-ND JFET N-CH 40V 350MW SOT23 12 000 - Immédiatement
54 000 - Stock usine
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0,09675 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 40 V
-
200 µA à 20 V
-
300 mV à 10 nA
-
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBFJ201 Datasheet MMBFJ201 - Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ201CT-ND JFET N-CH 40V 350MW SOT23 13 659 - Immédiatement
54 000 - Stock usine
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0,45000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 40 V
-
200 µA à 20 V
-
300 mV à 10 nA
-
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBFJ201 Datasheet MMBFJ201 - Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ201DKR-ND JFET N-CH 40V 350MW SOT23 13 659 - Immédiatement
54 000 - Stock usine
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Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 40 V
-
200 µA à 20 V
-
300 mV à 10 nA
-
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBFJ177LT1G Datasheet MMBFJ177LT1G - ON Semiconductor MMBFJ177LT1GOSTR-ND JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 27 000 - Immédiatement
0,15412 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal P 30 V
-
1,5 mA à 15 V
-
800 mV à 10 nA 11pF à 10V (VGS) 300 Ohms 225 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ177LT1G Datasheet MMBFJ177LT1G - ON Semiconductor MMBFJ177LT1GOSCT-ND JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 27 668 - Immédiatement
0,45000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal P 30 V
-
1,5 mA à 15 V
-
800 mV à 10 nA 11pF à 10V (VGS) 300 Ohms 225 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ177LT1G Datasheet MMBFJ177LT1G - ON Semiconductor MMBFJ177LT1GOSDKR-ND JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 27 668 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal P 30 V
-
1,5 mA à 15 V
-
800 mV à 10 nA 11pF à 10V (VGS) 300 Ohms 225 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
2SK880-Y(TE85L,F) Datasheet 2SK880-Y(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-Y(TE85LF)TR-ND JFET N-CH 50V 0.1W USM 66 000 - Immédiatement
0,19042 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 50 V
-
1,2 mA à 10 V
-
1,5 V à 100 nA 13pF à 10V
-
100 mW 125°C (TJ) Montage en surface SC-70, SOT-323 USM
2SK880-Y(TE85L,F) Datasheet 2SK880-Y(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-Y(TE85LF)CT-ND JFET N-CH 50V 0.1W USM 71 777 - Immédiatement
0,60000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 50 V
-
1,2 mA à 10 V
-
1,5 V à 100 nA 13pF à 10V
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100 mW 125°C (TJ) Montage en surface SC-70, SOT-323 USM
2SK880-Y(TE85L,F) Datasheet 2SK880-Y(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND JFET N-CH 50V 0.1W USM 71 777 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 50 V
-
1,2 mA à 10 V
-
1,5 V à 100 nA 13pF à 10V
-
100 mW 125°C (TJ) Montage en surface SC-70, SOT-323 USM
2N5457 Datasheet 2N5457 - Central Semiconductor Corp 2N5457-ND JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 3 412 - Immédiatement
2,21000 1 En vrac?
-
Actif Canal N 25 V 25V 1 mA à 15 V
-
500 mV à 10 nA 7pF à 15V
-
310 mW -65°C ~ 150°C (TJ) Trou traversant TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA) TO-92
2N4393 Datasheet 2N4393 - Central Semiconductor Corp 2N4393CS-ND JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 7 198 - Immédiatement
2,72000 1 En vrac?
-
Actif Canal N 40 V
-
5 mA à 20 V
-
500 mV à 1 nA 14pF à 20V 100 Ohms 1,8 W -65°C ~ 175°C (TJ) Trou traversant TO-206AA, TO-18-3 boîtier métallique TO-18
MMBF5459 Datasheet MMBF5459 - Fairchild/ON Semiconductor MMBF5459TR-ND JFET N-CH 25V 350MW SOT23 3 000 - Immédiatement
135 000 - Stock usine
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0,07141 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 25 V
-
4 mA à 15 V
-
2 V à 10 nA 7pF à 15V
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBF5459 Datasheet MMBF5459 - Fairchild/ON Semiconductor MMBF5459CT-ND JFET N-CH 25V 350MW SOT23 3 095 - Immédiatement
135 000 - Stock usine
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0,39000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 25 V
-
4 mA à 15 V
-
2 V à 10 nA 7pF à 15V
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMBF5459 Datasheet MMBF5459 - Fairchild/ON Semiconductor MMBF5459DKR-ND JFET N-CH 25V 350MW SOT23 3 095 - Immédiatement
135 000 - Stock usine
?
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 25 V
-
4 mA à 15 V
-
2 V à 10 nA 7pF à 15V
-
350 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
J113_D74Z Datasheet J113_D74Z - Fairchild/ON Semiconductor J113_D74ZTB-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 20 000 - Immédiatement
62 000 - Stock usine
?
0,07295 2 000 Bande et boîte?
-
Actif Canal N 35 V
-
2 mA à 15 V
-
500 mV à 1 µA
-
100 Ohms 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Trou traversant TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées) TO-92-3
J113_D74Z Datasheet J113_D74Z - Fairchild/ON Semiconductor J113_D74ZCT-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 20 361 - Immédiatement
62 000 - Stock usine
?
0,40000 1 Bande coupée (CT)?
-
Actif Canal N 35 V
-
2 mA à 15 V
-
500 mV à 1 µA
-
100 Ohms 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Trou traversant TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées) TO-92-3
J111_D26Z Datasheet J111_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor J111_D26ZTR-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 2 000 - Immédiatement
6 000 - Stock usine
?
0,07506 2 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 35 V
-
20 mA à 15 V
-
3 V à 1 µA
-
30 Ohms 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Trou traversant TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées) TO-92-3
J111_D26Z Datasheet J111_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor J111_D26ZCT-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 2 309 - Immédiatement
6 000 - Stock usine
?
0,41000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 35 V
-
20 mA à 15 V
-
3 V à 1 µA
-
30 Ohms 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Trou traversant TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées) TO-92-3
PMBFJ177,215 Datasheet PMBFJ177,215 - NXP USA Inc. 568-5033-2-ND JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 15 000 - Immédiatement
0,07678 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal P 30 V 30V 1,5 mA à 15 V
-
800 mV à 10 nA 8pF à 10V (VGS) 300 Ohms 300 mW 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
PMBFJ177,215 Datasheet PMBFJ177,215 - NXP USA Inc. 568-5033-1-ND JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 18 403 - Immédiatement
0,42000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal P 30 V 30V 1,5 mA à 15 V
-
800 mV à 10 nA 8pF à 10V (VGS) 300 Ohms 300 mW 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
PMBFJ177,215 Datasheet PMBFJ177,215 - NXP USA Inc. 568-5033-6-ND JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 18 403 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal P 30 V 30V 1,5 mA à 15 V
-
800 mV à 10 nA 8pF à 10V (VGS) 300 Ohms 300 mW 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 (TO-236AB)
BSR57 Datasheet BSR57 - Fairchild/ON Semiconductor BSR57TR-ND JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 6 000 - Immédiatement
78 000 - Stock usine
?
0,07755 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 40 V
-
20 mA à 15 V
-
2 V à 0,5 nA
-
40 Ohms 250 mW 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
BSR57 Datasheet BSR57 - Fairchild/ON Semiconductor BSR57CT-ND JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 8 113 - Immédiatement
78 000 - Stock usine
?
0,43000 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 40 V
-
20 mA à 15 V
-
2 V à 0,5 nA
-
40 Ohms 250 mW 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
BSR57 Datasheet BSR57 - Fairchild/ON Semiconductor BSR57DKR-ND JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 8 113 - Immédiatement
78 000 - Stock usine
?
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 40 V
-
20 mA à 15 V
-
2 V à 0,5 nA
-
40 Ohms 250 mW 150°C (TJ) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
J112_D26Z Datasheet J112_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor J112_D26ZTR-ND JFET N-CH 35V 625MW TO92 2 000 - Immédiatement
34 000 - Stock usine
?
0,07930 2 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N 35 V
-
5 mA à 15 V
-
1 V à 1 µA
-
50 Ohms 625 mW -55°C ~ 150°C (TJ) Trou traversant TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (broches formées) TO-92-3
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20:10:47 1/21/2017