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Fabricant Série Statut de la pièce Type IGBT Configuration Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) Courant - Collecteur (Ic) (max.) Puissance max. Vce(on) (max) à Vge, Ic Courant - Résiduel collecteur-base (max.) Capacité d'entrée (Cies) à Vce Entrée Thermistance NTC Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
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Série Statut de la pièce Type IGBT Configuration Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) Courant - Collecteur (Ic) (max.) Puissance max. Vce(on) (max) à Vge, Ic Courant - Résiduel collecteur-base (max.) Capacité d'entrée (Cies) à Vce Entrée Thermistance NTC Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
IXXN110N65B4H1 Datasheet IXXN110N65B4H1 - IXYS IXXN110N65B4H1-ND IGBT 650V 215A 750W SOT227B 219 - Immédiatement
21,85000 1 GenX4™, XPT™ Actif PT Simple 650 V 215 A 750 W 2,1V à 15V, 110A 50 µA 3,65nF à 25V Standard Non -55°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXGN320N60A3 Datasheet IXGN320N60A3 - IXYS IXGN320N60A3-ND IGBT 600V SOT-227B 159 - Immédiatement
26,97000 1 GenX3™ Actif PT Simple 600 V 320 A 735 W 1,25V à 15V, 100A 150 µA 18nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXDN55N120D1 Datasheet IXDN55N120D1 - IXYS IXDN55N120D1-ND IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B 454 - Immédiatement
29,47000 1
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Actif NPT Simple 1200 V 100 A 450 W 2,8V à 15V, 55A 3,8 mA 3,3nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
APT75GP120JDQ3 Datasheet APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 806 - Immédiatement
42,41000 1 POWER MOS 7® Actif PT Simple 1200 V 128 A 543 W 3,9V à 15V, 75A 1,25 mA 7,04nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APT150GN120JDQ4 Datasheet APT150GN120JDQ4 - Microsemi Corporation APT150GN120JDQ4-ND IGBT 1200V 215A 625W SOT227 111 - Immédiatement
50,56000 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 1200 V 215 A 625 W 2,1V à 15V, 150A 300 µA 9,5nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP®
MG12150S-BN2MM Datasheet MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. F6498-ND IGBT 1200V 200A 625W PKG S 45 - Immédiatement
86,89000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 1200 V 200 A 625 W 1,7V à 15V, 150A (typ.) 1 mA 10,5nF à 25V Standard Non -40°C ~ 125°C (TJ) Montage sur châssis Module S-3 S3
APTGT600A60G Datasheet APTGT600A60G - Microsemi Corporation APTGT600A60G-ND POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 159 - Immédiatement
163,29000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 600 V 700 A 2300 W 1,8V à 15V, 600A 750 µA 49nF à 25V Standard Non -40°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis SP6 SP6
APTGT600U170D4G Datasheet APTGT600U170D4G - Microsemi Corporation APTGT600U170D4G-ND IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 49 - Immédiatement
169,10000 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 1700 V 1100 A 2900 W 2,4V à 15V, 600A 1 mA 51nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis D4 D4
STGE200NB60S Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics 497-6731-5-ND IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP 211 - Immédiatement
26,84000 1 PowerMESH™ Actif
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Simple 600 V 200 A 600 W 1,6V à 15V, 100A 500 µA 1,56nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP
VS-50MT060WHTAPBF Datasheet VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF-ND IGBT 600V 114A 658W MTP 136 - Immédiatement
55,43000 1
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Actif
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Demi-pont 600 V 114 A 658 W 3,2V à 15V, 100A 400 µA 7,1nF à 30V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module 12-MTP MTP
MG06200S-BN4MM Datasheet MG06200S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6493-ND IGBT 600V 300A 600W PKG S 90 - Immédiatement
90,45000 1
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Actif
-
Demi-pont 600 V 300 A 600 W 1,45V à 15V, 200A (typ.) 1 mA 13nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module S-3 S3
APTGF75H120TG Datasheet APTGF75H120TG - Microsemi Corporation APTGF75H120TG-ND POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4 28 - Immédiatement
102,37000
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Pas pour les nouvelles conceptions NPT Inverseur de pont complet 1200 V 100 A 500 W 3,7V à 15V, 75A 250 µA 5,1nF à 25V Standard Oui
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Montage sur châssis SP4 SP4
APT75GN120JDQ3 Datasheet APT75GN120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3-ND IGBT 1200V 124A 379W SOT227 119 - Immédiatement
31,51000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Simple 1200 V 124 A 379 W 2,1V à 15V, 75A 200 µA 4,8nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APT200GN60J Datasheet APT200GN60J - Microsemi Corporation APT200GN60J-ND IGBT 600V 283A 682W SOT227 349 - Immédiatement
32,48000 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 600 V 283 A 682 W 1,85V à 15V, 200A 25 µA 14,1nF à 25V Standard Non -55°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APT100GT120JU2 Datasheet APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation APT100GT120JU2-ND IGBT 1200V 140A 480W SOT227 515 - Immédiatement
32,65000 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 1200 V 140 A 480 W 2,1V à 15V, 100A 5 mA 7,2nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP SOT-227
APT75GP120J Datasheet APT75GP120J - Microsemi Corporation APT75GP120J-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 135 - Immédiatement
39,46000 1 POWER MOS 7® Actif PT Simple 1200 V 128 A 543 W 3,9V à 15V, 75A 1 mA 7,04nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APT100GT120JRDQ4 Datasheet APT100GT120JRDQ4 - Microsemi Corporation APT100GT120JRDQ4-ND IGBT 1200V 123A 570W SOT227 178 - Immédiatement
49,91000 1 Thunderbolt IGBT® Actif NPT Simple 1200 V 123 A 570 W 3,7V à 15V, 100A 200 µA 7,85nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APTGFQ25H120T2G Datasheet APTGFQ25H120T2G - Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G-ND IGBT 1200V 40A 227W MODULE 159 - Immédiatement
56,49000
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Pas pour les nouvelles conceptions NPT et fieldstop Pont complet 1200 V 40 A 227 W 2,1V à 15V, 25A 250 µA 2,02 nF à 25 V Standard Oui
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Trou traversant SP2 SP2
VS-GA250SA60S Datasheet VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA250SA60SGI-ND IGBT 600V 400A SOT227 124 - Immédiatement
75,58000 1
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Actif
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Simple 600 V 400 A 961 W 1,66V à 15V, 200A 1 mA 16,25nF à 30V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4 SOT-227
APT60GF120JRDQ3 Datasheet APT60GF120JRDQ3 - Microsemi Corporation APT60GF120JRDQ3-ND IGBT 1200V 149A 625W SOT227 31 - Immédiatement
78,93000 1
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Actif NPT Simple 1200 V 149 A 625 W 3V à 15V, 100A 350 µA 7,08nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
MG06150S-BN4MM Datasheet MG06150S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6492-ND IGBT 600V 225A 500W PKG S 98 - Immédiatement
79,98000 1
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Actif
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Demi-pont 600 V 225 A 500 W 1,45V à 15V, 150A (typ.) 1 mA 9,3nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module S-3 S3
MG12150D-BA1MM Datasheet MG12150D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6480-ND IGBT 1200V 210A 1100W PKG D 56 - Immédiatement
112,39000 1
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Actif
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Demi-pont 1200 V 210 A 1100 W 1,8V à 15V, 150A (typ.) 1 mA 11nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module D3
APTGL475U120D4G Datasheet APTGL475U120D4G - Microsemi Corporation APTGL475U120D4G-ND IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 77 - Immédiatement
115,27000 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 1200 V 610 A 2082 W 2,2V à 15V, 400A 4 mA 24,6nF à 25V Standard Non -40°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis D4 D4
MG12200D-BA1MM Datasheet MG12200D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6481-ND IGBT 1200V 300A 1400W PKG D 31 - Immédiatement
119,67000 1
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Actif
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Demi-pont 1200 V 300 A 1400 W 1,8V à 15V, 200A (typ.) 1 mA 14,9nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module D3
APTGL475A120D3G Datasheet APTGL475A120D3G - Microsemi Corporation APTGL475A120D3G-ND POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3 32 - Immédiatement
171,10000 1
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Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 1200 V 610 A 2080 W 2,2V à 15V, 400A 5 mA 24,6nF à 25V Standard Non -40°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis Module D-3 D3
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