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Fabricant Série Statut de la pièce Type IGBT Configuration Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) Courant - Collecteur (Ic) (max.) Puissance max. Vce(on) (max) à Vge, Ic Courant - Résiduel collecteur-base (max.) Capacité d'entrée (Cies) à Vce Entrée Thermistance NTC Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
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Série Statut de la pièce Type IGBT Configuration Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) Courant - Collecteur (Ic) (max.) Puissance max. Vce(on) (max) à Vge, Ic Courant - Résiduel collecteur-base (max.) Capacité d'entrée (Cies) à Vce Entrée Thermistance NTC Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
IXXN110N65C4H1 Datasheet IXXN110N65C4H1 - IXYS IXXN110N65C4H1-ND IGBT 650V 210A 750W SOT227B 138 - Immédiatement
21,46000 1 GenX4™, XPT™ Actif PT Simple 650V 210A 750W 2,35V à 15V, 110A 50µA 3,69nF à 25V Standard Non -55°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXDN55N120D1 Datasheet IXDN55N120D1 - IXYS IXDN55N120D1-ND IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B 184 - Immédiatement
28,95000 1
-
Actif NPT Simple 1200V 100A 450W 2,8V à 15V, 55A 3,8mA 3,3nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
APT75GP120JDQ3 Datasheet APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 806 - Immédiatement
41,68000 1 POWER MOS 7® Actif PT Simple 1200V 128A 543W 3,9V à 15V, 75A 1,25mA 7,04nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APT150GN120JDQ4 Datasheet APT150GN120JDQ4 - Microsemi Corporation APT150GN120JDQ4-ND IGBT 1200V 215A 625W SOT227 111 - Immédiatement
49,68000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Simple 1200V 215A 625W 2,1V à 15V, 150A 300µA 9,5nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP®
MG12150S-BN2MM Datasheet MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. F6498-ND IGBT 1200V 200A 625W PKG S 52 - Immédiatement
85,38000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 1200V 200A 625W 1,7V à 15V, 150A (typ.) 1mA 10,5nF à 25V Standard Non -40°C ~ 125°C (TJ) Montage sur châssis Module S-3 S3
APTGT600A60G Datasheet APTGT600A60G - Microsemi Corporation APTGT600A60G-ND POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 159 - Immédiatement
219,94000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 600V 700A 2300W 1,8V à 15V, 600A 750µA 49nF à 25V Standard Non -40°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis SP6 SP6
APTGT600U170D4G Datasheet APTGT600U170D4G - Microsemi Corporation APTGT600U170D4G-ND IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 63 - Immédiatement
228,48000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Simple 1700V 1100A 2900W 2,4V à 15V, 600A 1mA 51nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis D4 D4
STGE200NB60S Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics 497-6731-5-ND IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP 221 - Immédiatement
26,37000 1 PowerMESH™ Actif
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Simple 600V 200A 600W 1,6V à 15V, 100A 500µA 1,56nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP
IXYN82N120C3H1 Datasheet IXYN82N120C3H1 - IXYS IXYN82N120C3H1-ND IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B 122 - Immédiatement
35,84000 1 XPT™, GenX3™ Actif
-
Simple 1200V 105A 500W 3,2V à 15V, 82A 50µA 4060pF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
MG06150S-BN4MM Datasheet MG06150S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6492-ND IGBT 600V 225A 500W PKG S 102 - Immédiatement
78,59000 1
-
Actif
-
Demi-pont 600V 225A 500W 1,45V à 15V, 150A (typ.) 1mA 9,3nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module S-3 S3
APTGF75H120TG Datasheet APTGF75H120TG - Microsemi Corporation APTGF75H120TG-ND POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4 28 - Immédiatement
100,59000 1
-
Pas pour les nouvelles conceptions NPT Inverseur de pont complet 1200V 100A 500W 3,7V à 15V, 75A 250µA 5,1nF à 25V Standard Oui
-
Montage sur châssis SP4 SP4
MG12450WB-BN2MM Datasheet MG12450WB-BN2MM - Littelfuse Inc. F6488-ND IGBT 1200V 600A 1950W PKG WB 29 - Immédiatement
189,89000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 1200V 600A 1950W 1,7V à 15V, 450A (typ.) 1mA 32nF à 25V Standard Oui -40°C ~ 125°C (TJ) Montage sur châssis Module WB
APT75GN120JDQ3 Datasheet APT75GN120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3-ND IGBT 1200V 124A 379W SOT227 119 - Immédiatement
30,96000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Simple 1200V 124A 379W 2,1V à 15V, 75A 200µA 4,8nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APT200GN60J Datasheet APT200GN60J - Microsemi Corporation APT200GN60J-ND IGBT 600V 283A 682W SOT227 351 - Immédiatement
31,91000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Simple 600V 283A 682W 1,85V à 15V, 200A 25µA 14,1nF à 25V Standard Non -55°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APT75GP120J Datasheet APT75GP120J - Microsemi Corporation APT75GP120J-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 135 - Immédiatement
38,77000 1 POWER MOS 7® Actif PT Simple 1200V 128A 543W 3,9V à 15V, 75A 1mA 7,04nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APT100GT120JU2 Datasheet APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation APT100GT120JU2-ND IGBT 1200V 140A 480W SOT227 535 - Immédiatement
42,61000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Simple 1200V 140A 480W 2,1V à 15V, 100A 5mA 7,2nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP SOT-227
APT100GT120JRDQ4 Datasheet APT100GT120JRDQ4 - Microsemi Corporation APT100GT120JRDQ4-ND IGBT 1200V 123A 570W SOT227 208 - Immédiatement
49,04000 1 Thunderbolt IGBT® Actif NPT Simple 1200V 123A 570W 3,7V à 15V, 100A 200µA 7,85nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
APTGFQ25H120T2G Datasheet APTGFQ25H120T2G - Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G-ND IGBT 1200V 40A 227W MODULE 159 - Immédiatement
55,51000 1
-
Pas pour les nouvelles conceptions NPT et fieldstop Pont complet 1200V 40A 227W 2,1V à 15V, 25A 250µA 2,02 nF à 25 V Standard Oui
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Trou traversant SP2 SP2
APTGT50X60T3G Datasheet APTGT50X60T3G - Microsemi Corporation APTGT50X60T3G-ND IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 129 - Immédiatement
69,63000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 600V 80A 176W 1,9V à 15V, 50A 250µA 3,15nF à 25V Standard Oui -40°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis SP3 SP3
VS-GA250SA60S Datasheet VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA250SA60SGI-ND IGBT 600V 400A SOT227 177 - Immédiatement
74,27000 1
-
Actif
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Simple 600V 400A 961W 1,66V à 15V, 200A 1mA 16,25nF à 30V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4 SOT-227
APT60GF120JRDQ3 Datasheet APT60GF120JRDQ3 - Microsemi Corporation APT60GF120JRDQ3-ND IGBT 1200V 149A 625W SOT227 31 - Immédiatement
77,56000 1
-
Actif NPT Simple 1200V 149A 625W 3V à 15V, 100A 350µA 7,08nF à 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
MG06200S-BN4MM Datasheet MG06200S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6493-ND IGBT 600V 300A 600W PKG S 90 - Immédiatement
88,88000 1
-
Actif
-
Demi-pont 600V 300A 600W 1,45V à 15V, 200A (typ.) 1mA 13nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module S-3 S3
MG12150D-BA1MM Datasheet MG12150D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6480-ND IGBT 1200V 210A 1100W PKG D 56 - Immédiatement
110,44000 1
-
Actif
-
Demi-pont 1200V 210A 1100W 1,8V à 15V, 150A (typ.) 1mA 11nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module D3
MG12200D-BA1MM Datasheet MG12200D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6481-ND IGBT 1200V 300A 1400W PKG D 42 - Immédiatement
117,59000 1
-
Actif
-
Demi-pont 1200V 300A 1400W 1,8V à 15V, 200A (typ.) 1mA 14,9nF à 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module D3
APTGL475U120D4G Datasheet APTGL475U120D4G - Microsemi Corporation APTGL475U120D4G-ND IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 64 - Immédiatement
153,85000 1
-
Actif À tranchées à champ limité Simple 1200V 610A 2082W 2,2V à 15V, 400A 4mA 24,6nF à 25V Standard Non -40°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis D4 D4
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23:08:14 12/9/2016