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Référence Digi-Key SUP85N10-10-E3-ND
Quantité disponible 306
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SUP85N10-10-E3

Description MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Description étendue N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 85A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6550pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,75W (Ta), 250W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10,5 mOhms à 30A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SUP85N10-10-E3CT
SUP85N10-10-E3CT-ND
SUP85N1010E3

00:51:53 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,06000 6,06
10 5,43600 54,36
25 5,14000 128,50
100 4,45440 445,44
250 4,22600 1 056,50
500 3,79198 1 895,99
1 000 3,19805 3 198,05
2 500 3,03815 7 595,38

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