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Présentation des produits
Référence Digi-Key SUP85N10-10-E3-ND
Quantité disponible 304
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SUP85N10-10-E3

Description MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Description étendue N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SUP/SUB85N10-10
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 85 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6550 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,75 W (Ta), 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10,5 mOhms à 30 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SUP85N10-10-E3CT
SUP85N10-10-E3CT-ND
SUP85N1010E3

20:57:03 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,89000 5,89
10 5,28800 52,88
25 4,99960 124,99
100 4,33280 433,28
250 4,11064 1 027,66
500 3,68846 1 844,23
1 000 3,11076 3 110,76
2 500 2,95522 7 388,04

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