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Référence Digi-Key SUP70040E-GE3-ND
Quantité disponible 829
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SUP70040E-GE3

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SUP70040E
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Produit représenté Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5100pF à 50V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4 mOhms à 20A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500

14:46:15 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,80000 2,80
10 2,51300 25,13
25 2,37560 59,39
100 2,05880 205,88
250 1,95320 488,30
500 1,75260 876,30
1 000 1,47809 1 478,09
2 500 1,40419 3 510,47
5 000 1,35140 6 756,99

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