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Présentation des produits
Référence Digi-Key SUP57N20-33-E3-ND
Quantité disponible 622
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SUP57N20-33-E3

Description MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Description étendue N-Channel 200V 57A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SUP57N20-33
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5100pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,75 W (Ta), 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 33 mOhms à 30A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SUP57N2033E3

01:14:58 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,27000 4,27
10 3,83700 38,37
25 3,62800 90,70
100 3,14430 314,43
250 2,98304 745,76
500 2,67670 1 338,35
1 000 2,25745 2 257,45
2 500 2,14458 5 361,44

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