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Présentation des produits
Référence Digi-Key SUP57N20-33-E3-ND
Quantité disponible 472
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SUP57N20-33-E3

Description MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Description étendue N-Channel 200V 57A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SUP57N20-33
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5100 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,75 W (Ta), 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 33 mOhms à 30 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SUP57N2033E3

19:53:13 3/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,41000 4,41
10 3,96300 39,63
25 3,74680 93,67
100 3,24720 324,72
250 3,08064 770,16
500 2,76426 1 382,13
1 000 2,33130 2 331,30

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