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Présentation des produits
Référence Digi-Key SUP50020EL-GE3-ND
Quantité disponible 266
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SUP50020EL-GE3

Description MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Description étendue N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SUP50020EL
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Produit représenté Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 126nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 11113pF à 30V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,3 mOhms à 30A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500

09:18:13 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,68000 2,68
10 2,40500 24,05
25 2,27400 56,85
100 1,97090 197,09
250 1,86972 467,43
500 1,67772 838,86
1 000 1,41494 1 414,94
2 500 1,34419 3 360,48
5 000 1,29366 6 468,28

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