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Présentation des produits
Référence Digi-Key SUP50020EL-GE3-ND
Quantité disponible 720
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SUP50020EL-GE3

Description MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Description étendue N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 17 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SUP50020EL
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Produit représenté Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 126 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11113 pF à 30 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,3 mOhms à 30 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500

14:09:10 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,60000 2,60
10 2,34000 23,40
25 2,21200 55,30
100 1,91710 191,71
250 1,81868 454,67
500 1,63192 815,96
1 000 1,37631 1 376,31
2 500 1,30750 3 268,75
5 000 1,25834 6 291,72

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