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Référence Digi-Key SIS427EDN-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 12 369
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIS427EDN-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
Description étendue P-Channel 30V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIS427EDN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 66nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1930pF à 15V
Vgs (Max) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10,6 mOhms à 11A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIS427EDN-T1-GE3CT

17:39:06 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,67000 0,67
10 0,58700 5,87
25 0,55160 13,79
100 0,45020 45,02
250 0,41816 104,54
500 0,35590 177,95
1 000 0,28472 284,72

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIS427EDN-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 12 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,25051
  • Digi-Reel® ? : SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 12 369 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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