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Référence Digi-Key SIS414DN-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 3 122
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIS414DN-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
Description étendue N-Channel 30V 20A (Tc) 3.4W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SiS414DN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 33nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 795pF à 15V
Vgs (Max) ±12V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,4W (Ta), 31W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16 mOhms à 10A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIS414DN-T1-GE3CT

00:12:22 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,78000 0,78
10 0,68500 6,85
25 0,64360 16,09
100 0,52520 52,52
250 0,48788 121,97
500 0,41520 207,60
1 000 0,33217 332,17

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIS414DN-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,29226
  • Digi-Reel® ? : SIS414DN-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 3 122 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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