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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIR882DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 1 843
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIR882DP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIR882DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,7 mOhms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 58nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1930pF à 50V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier PowerPAK® SO-8
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
 
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  • Prix unitaire 0,84000
  • 283-2551-1-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIR882DP-T1-GE3CT

02:21:48 12/11/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,32000 2,32
10 2,08500 20,85
25 1,96680 49,17
100 1,67600 167,60
250 1,57364 393,41
500 1,37694 688,47
1 000 1,14091 1 140,91

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIR882DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 1,03128
  • Digi-Reel® ? : SIR882DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1 843 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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