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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIR470DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 5 938
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIR470DP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIR470DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Page de catalogue 1579 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,3 mOhms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 155nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 5660pF à 20V
Puissance max. 104W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier PowerPAK® SO-8
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIR470DP-T1-GE3CT

22:25:28 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,61000 2,61
10 2,34300 23,43
25 2,21000 55,25
100 1,88280 188,28
250 1,76792 441,98
500 1,54694 773,47
1 000 1,28176 1 281,76

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIR470DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 1,15860
  • Digi-Reel® ? : SIR470DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5 938 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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