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Référence Digi-Key SIR424DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 3 596
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIR424DP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 20V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIR424DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 35nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1250pF à 10V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 4,8W (Ta), 41,7W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,5 mOhms à 20A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIR424DP-T1-GE3CT

09:33:03 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,88000 0,88
10 0,78700 7,87
25 0,74760 18,69
100 0,61390 61,39
250 0,57388 143,47
500 0,50716 253,58
1 000 0,40038 400,38

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIR424DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,36280
  • Digi-Reel® ? : SIR424DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 3 596 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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