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Référence Digi-Key SIR416DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 5 902
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIR416DP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 90 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3350 pF à 20 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 5,2 W (Ta), 69 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,8 mOhms à 15 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIR416DP-T1-GE3CT

22:56:43 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,24000 1,24
10 1,10600 11,06
25 1,05000 26,25
100 0,86260 86,26
250 0,80628 201,57
500 0,71256 356,28
1 000 0,56254 562,54

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIR416DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,50975
  • Digi-Reel® ? : SIR416DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5 902 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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