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Référence Digi-Key SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 2 408
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIJ478DP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 80V 60A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIJ478DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 54nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1855pF à 40V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 5W (Ta), 62,5W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8 mOhms à 20A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIJ478DP-T1-GE3CT

17:56:38 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,55000 1,55
10 1,37900 13,79
25 1,30920 32,73
100 1,07550 107,55
250 1,00532 251,33
500 0,88844 444,22
1 000 0,70141 701,41

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIJ478DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,63558
  • Digi-Reel® ? : SIJ478DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 408 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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