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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIHP33N60EF-GE3-ND
Quantité disponible 940
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHP33N60EF-GE3

Description MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHP33N60EF-GE3
Note(s) d’application Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 98 mOhms à 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 155nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3454pF à 100V
Puissance max. 278W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000

14:06:53 12/2/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,72000 5,72
10 5,17100 51,71
25 4,93000 123,25
100 4,28070 428,07
250 4,08832 1 022,08
500 3,72760 1 863,80
1 000 3,24662 3 246,62
2 500 3,12638 7 815,94

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