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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIHP33N60E-GE3-ND
Quantité disponible 868
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHP33N60E-GE3

Description MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
Description étendue N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Packaging Information
SiHP33N60E
Module(s) de formation sur le produit High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 150nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3508pF à 100V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 278W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 16,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms SIHP33N60EGE3

07:23:20 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,60000 5,60
10 5,02600 50,26
25 4,75120 118,78
100 4,11750 411,75
250 3,90640 976,60
500 3,50518 1 752,59
1 000 2,95618 2 956,18
2 500 2,80838 7 020,94

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