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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIHP33N60E-GE3-ND
Quantité disponible 68
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHP33N60E-GE3

Description MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Packaging Information
SiHP33N60E
Module(s) de formation sur le produit High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 150nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3508pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms SIHP33N60EGE3

20:57:33 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,50000 5,50
10 4,93800 49,38
25 4,66840 116,71
100 4,04590 404,59
250 3,83840 959,60
500 3,44420 1 722,10
1 000 2,90475 2 904,75
2 500 2,75951 6 898,78

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