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Référence Digi-Key SIHP33N60E-GE3-ND
Quantité disponible 862
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHP33N60E-GE3

Description MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
Description étendue N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3508 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 278 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 16,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms SIHP33N60EGE3

20:18:38 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,44000 5,44
10 4,88800 48,88
25 4,62120 115,53
100 4,00510 400,51
250 3,79976 949,94
500 3,40950 1 704,75
1 000 2,87549 2 875,49
2 500 2,73171 6 829,28

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