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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIHP25N50E-GE3-ND
Quantité disponible 792
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHP25N50E-GE3

Description MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Packaging Information
SIHP25N50E-GE3
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 145 mOhms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 86nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1980pF à 100V
Puissance max. 250W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000

07:54:05 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,89000 2,89
10 2,58800 25,88
25 2,44680 61,17
100 2,12050 212,05
250 2,01168 502,92
500 1,80508 902,54
1 000 1,52235 1 522,35
2 500 1,44624 3 615,59
5 000 1,39186 6 959,32

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