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Référence Digi-Key SIHP25N50E-GE3-ND
Quantité disponible 716
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHP25N50E-GE3

Description MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
Description étendue N-Channel 500V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1980 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 145 mOhms à 12 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000

00:28:19 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,03000 3,03
10 2,72000 27,20
25 2,57160 64,29
100 2,22860 222,86
250 2,11428 528,57
500 1,89714 948,57
1 000 1,60000 1 600,00
2 500 1,52000 3 799,99

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