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Référence Digi-Key SIHP25N40D-GE3-ND
Quantité disponible 636
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHP25N40D-GE3

Description MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
Description étendue N-Channel 400V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Packaging Information
SiHP25N40D
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 400V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 88 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1707 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 278 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 170 mOhms à 13 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms SIHP25N40DGE3

21:00:40 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,89000 2,89
10 2,59500 25,95
25 2,45320 61,33
100 2,12620 212,62
250 2,01712 504,28
500 1,80994 904,97
1 000 1,52645 1 526,45
2 500 1,45013 3 625,32

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