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Référence Digi-Key SIHG73N60E-GE3-ND
Quantité disponible 499
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHG73N60E-GE3

Description MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Description étendue N-Channel 600V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHG73N60E
Module(s) de formation sur le produit High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 73A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 362nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 7700 pF à 100 V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 520W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 39 mOhms à 36A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SIHG73N60E-GE3CT
SIHG73N60E-GE3CT-ND
SIHG73N60EGE3

04:12:27 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 11,57000 11,57
10 10,63300 106,33
25 10,19240 254,81
100 8,98010 898,01
250 8,53936 2 134,84
500 7,98842 3 994,21
1 000 7,32731 7 327,31

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