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Référence Digi-Key SIHG32N50D-GE3-ND
Quantité disponible 1 322
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHG32N50D-GE3

Description MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
Description étendue N-Channel 500V 30A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHG32N50D
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 96nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2550pF à 100V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 390W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 150 mOhms à 16A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SIHG32N50DGE3

16:07:57 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,82000 4,82
10 4,32400 43,24
25 4,08720 102,18
100 3,54240 354,24
250 3,36072 840,18
500 3,01558 1 507,79
1 000 2,54326 2 543,26
2 500 2,41610 6 040,24

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