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Référence Digi-Key SIHG32N50D-GE3-ND
Quantité disponible 1 306
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHG32N50D-GE3

Description MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
Description étendue N-Channel 500V 30A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHG32N50D
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2550 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 390 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 150 mOhms à 16 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SIHG32N50DGE3

16:01:09 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,97000 4,97
10 4,46500 44,65
25 4,22120 105,53
100 3,65830 365,83
250 3,47068 867,67
500 3,11424 1 557,12
1 000 2,62646 2 626,46

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