Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key SIHG25N50E-GE3-ND
Quantité disponible 443
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHG25N50E-GE3

Description MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
Description étendue N-Channel 500V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Packaging Information
SIHG25N50E-GE3
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1980pF à 100V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 145 mOhms à 12A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500

05:15:46 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,52000 3,52
10 3,16600 31,66
25 2,99320 74,83
100 2,59410 259,41
250 2,46104 615,26
500 2,20826 1 104,13
1 000 1,86240 1 862,40
2 500 1,76928 4 423,19
5 000 1,70276 8 513,81

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires