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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIHG25N50E-GE3-ND
Quantité disponible 443
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHG25N50E-GE3

Description MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
Description étendue N-Channel 500V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Packaging Information
SIHG25N50E-GE3
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1980 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 145 mOhms à 12 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500

12:54:23 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,43000 3,43
10 3,08000 30,80
25 2,91120 72,78
100 2,52320 252,32
250 2,39388 598,47
500 2,14798 1 073,99
1 000 1,81156 1 811,56
2 500 1,72098 4 302,45
5 000 1,65628 8 281,41

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