Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key SIHG22N60E-E3-ND
Quantité disponible 200
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHG22N60E-E3

Description MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Description étendue N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHG22N60E
Module(s) de formation sur le produit High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1920 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 227 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 11 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SIHG22N60EE3

02:47:53 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,20000 4,20
10 3,77400 37,74
25 3,56840 89,21
100 3,09250 309,25
250 2,93396 733,49
500 2,63262 1 316,31
1 000 2,22029 2 220,29

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires