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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIHG22N60E-E3-ND
Quantité disponible 320
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHG22N60E-E3

Description MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHG22N60E
Module(s) de formation sur le produit High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 86nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1920pF à 100V
Puissance max. 227W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247AC
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SIHG22N60EE3

07:05:34 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,00000 4,00
10 3,59100 35,91
25 3,39520 84,88
100 2,94250 294,25
250 2,79156 697,89
500 2,50488 1 252,44
1 000 2,11254 2 112,54
2 500 2,00692 5 017,29

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