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Référence Digi-Key SIHG22N60E-E3-ND
Quantité disponible 214
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHG22N60E-E3

Description MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Description étendue N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHG22N60E
Module(s) de formation sur le produit High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1920 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 227 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 11 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SIHG22N60EE3

10:53:02 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,96000 3,96
10 3,55500 35,55
25 3,36080 84,02
100 2,91280 291,28
250 2,76344 690,86
500 2,47964 1 239,82
1 000 2,09126 2 091,26
2 500 1,98670 4 966,75

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