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Référence Digi-Key SIHG20N50C-E3-ND
Quantité disponible 3 231
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHG20N50C-E3

Description MOSFET N-CH 500V 20A TO247
Description étendue N-Channel 500V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHG20N50C
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Produit représenté SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs
Assemblage/origine PCN SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014
Page de catalogue 1579 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 76 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2942 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 270 mOhms à 10 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247AC
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SIHG20N50CE3

22:43:35 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,86000 2,86
10 2,57100 25,71
25 2,43080 60,77
100 2,10680 210,68
250 1,99876 499,69
500 1,79348 896,74
1 000 1,51257 1 512,57
2 500 1,43694 3 592,35

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