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Référence Digi-Key SIHD7N60E-GE3-ND
Quantité disponible 12 999
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHD7N60E-GE3

Description MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
Description étendue N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHD7N60E
Module(s) de formation sur le produit High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 680 pF à 100 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 78 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 600 mOhms à 3,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D-Pak
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches + languette), SC-63
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 3 000
Autres Noms SIHD7N60EGE3

23:58:58 3/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,90000 1,90
10 1,70200 17,02
25 1,60600 40,15
100 1,36810 136,81
250 1,28460 321,15
500 1,12402 562,01
1 000 0,93133 931,33
2 500 0,86710 2 167,75
5 000 0,83499 4 174,93

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