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Référence Digi-Key SIHD7N60E-GE3-ND
Quantité disponible 15 999
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIHD7N60E-GE3

Description MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
Description étendue N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIHD7N60E
Module(s) de formation sur le produit High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 40nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 680pF à 100V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 78W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 600 mOhms à 3,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D-Pak
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches+languette), SC-63
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 3 000
Autres Noms SIHD7N60EGE3

13:37:24 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,83000 1,83
10 1,64800 16,48
25 1,55480 38,87
100 1,32470 132,47
250 1,24392 310,98
500 1,08842 544,21
1 000 0,90183 901,83
2 500 0,83963 2 099,08
5 000 0,80854 4 042,68

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