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Référence Digi-Key SIB452DK-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SIB452DK-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Description étendue N-Channel 190V 1.5A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIB452DK
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1577 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 190V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,5 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 135 pF à 50 V
Vgs (max.) ±16 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,4 W (Ta), 13 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,4 Ohms à 500 mA, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-75-6L simple
Boîtier PowerPAK® SC-75-6L
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIB452DK-T1-GE3CT

03:54:04 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,76000 0,76
10 0,67400 6,74
25 0,63280 15,82
100 0,51660 51,66
250 0,47984 119,96
500 0,40838 204,19
1 000 0,32670 326,70

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIB452DK-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,28745
  • Digi-Reel® ? : SIB452DK-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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