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Référence Digi-Key SIB433EDK-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 8 435
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIB433EDK-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6
Description étendue P-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIB433EDK
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC à 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±8 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,4 W (Ta), 13 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 58 mOhms à 3,7 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-75-6L simple
Boîtier PowerPAK® SC-75-6L
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIB433EDK-T1-GE3CT

23:50:04 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,51000 0,51
10 0,44000 4,40
25 0,41080 10,27
100 0,32870 32,87
250 0,30524 76,31
500 0,25830 129,15
1 000 0,19959 199,59

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIB433EDK-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,17668
  • Digi-Reel® ? : SIB433EDK-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 8 435 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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