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Référence Digi-Key SIB417AEDK-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 7 822
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIB417AEDK-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
Description étendue P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SIB417AEDK
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 8V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,2V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18,5nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 878pF à 4V
Vgs (max.) ±5V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,4 W (Ta), 13 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 32 mOhms à 3A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-75-6L simple
Boîtier PowerPAK® SC-75-6L
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIB417AEDK-T1-GE3CT

20:35:21 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,43000 0,43
10 0,37000 3,70
25 0,34600 8,65
100 0,27680 27,68
250 0,25704 64,26
500 0,21750 108,75
1 000 0,16806 168,06

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIB417AEDK-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,14877
  • Digi-Reel® ? : SIB417AEDK-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 822 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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