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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIA448DJ-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 3 834
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SIA448DJ-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
Description étendue N-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SiA448DJ
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC à 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1380 pF à 1 V
Vgs (max.) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,5 W (Ta), 19,2 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 15 mOhms à 12,4 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-70-6 simple
Boîtier PowerPAK® SC-70-6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SIA448DJ-T1-GE3CT

16:43:24 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,55000 0,55
10 0,46900 4,69
25 0,43760 10,94
100 0,35000 35,00
250 0,32504 81,26
500 0,27502 137,51
1 000 0,21252 212,52

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SIA448DJ-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,18812
  • Digi-Reel® ? : SIA448DJ-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 3 834 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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