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Référence Digi-Key SI9433BDY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 10 063
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI9433BDY-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
Description étendue P-Channel 20V 4.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI9433BDY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,7V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±12 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,3 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 40 mOhms à 6,2 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI9433BDY-T1-GE3CT

17:16:03 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,73000 0,73
10 0,64400 6,44
25 0,60440 15,11
100 0,49330 49,33
250 0,45824 114,56
500 0,39000 195,00
1 000 0,31200 312,00

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI9433BDY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 10 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,27451
  • Digi-Reel® ? : SI9433BDY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 10 063 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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