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Référence Digi-Key SI9407BDY-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 7 358
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI9407BDY-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Description étendue P-Channel 60V 4.7A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI9407BDY
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1581 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,7A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 600pF à 30V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,4W (Ta), 5W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 120 mOhms à 3,2A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI9407BDY-T1-GE3CT

02:41:47 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,89000 0,89
10 0,78300 7,83
25 0,73560 18,39
100 0,60030 60,03
250 0,55756 139,39
500 0,47452 237,26
1 000 0,37962 379,62

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI9407BDY-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,33401
  • Digi-Reel® ? : SI9407BDY-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 358 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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