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Référence Digi-Key SI8824EDB-T2-E1CT-ND
Quantité disponible 8 918
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI8824EDB-T2-E1

Description MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Description étendue N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI8824EDB
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Produit représenté Si8824EDB N-Ch Chipscale MOSFET
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C -
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,2V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 800mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 400pF à 10V
Vgs (max.) ±5V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 500 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 75 mOhms à 1A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 4-Microfoot
Boîtier 4-XFBGA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI8824EDB-T2-E1CT

15:29:49 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,40000 0,40
10 0,32400 3,24
25 0,29680 7,42
100 0,22080 22,08
250 0,20008 50,02
500 0,16560 82,80
1 000 0,12420 124,20

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI8824EDB-T2-E1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,11054
  • Digi-Reel® ? : SI8824EDB-T2-E1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 8 918 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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