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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI8821EDB-T2-E1CT-ND
Quantité disponible 1 089
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI8821EDB-T2-E1

Description MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
Description étendue P-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI8821EDB
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Conception/spécification PCN SIL-014-2015 10/Mar/2015
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C -
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440 pF à 15 V
Vgs (max.) ±12 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 500 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 135 mOhms à 1 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 4-Microfoot
Boîtier 4-XFBGA, CSPBGA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI8821EDB-T2-E1CT

21:57:03 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,47000 0,47
10 0,37900 3,79
25 0,34680 8,67
100 0,25810 25,81
250 0,23388 58,47
500 0,19358 96,79
1 000 0,14518 145,18

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI8821EDB-T2-E1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,12920
  • Digi-Reel® ? : SI8821EDB-T2-E1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 1 089 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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