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Référence Digi-Key SI8497DB-T2-E1CT-ND
Quantité disponible 2 539
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI8497DB-T2-E1

Description MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
Description étendue P-Channel 30V 13A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si8497DB
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,1 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1320 pF à 15 V
Vgs (max.) ±12V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,77 W (Ta), 13 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 53 mOhms à 1,5 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-microfoot
Boîtier 6-UFBGA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI8497DB-T2-E1CT

03:02:39 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,54000 0,54
10 0,46100 4,61
25 0,43080 10,77
100 0,34470 34,47
250 0,32004 80,01
500 0,27078 135,39
1 000 0,20925 209,25

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI8497DB-T2-E1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,18523
  • Digi-Reel® ? : SI8497DB-T2-E1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 539 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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