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Référence Digi-Key SI8424CDB-T1-E1CT-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SI8424CDB-T1-E1

Description MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Description étendue N-Channel 8V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI8424CDB
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Produit représenté N-Channel 8 V (D-S) MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 8V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C -
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,2V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 800 mV à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2340 pF à 4 V
Vgs (max.) ±5V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,1 W (Ta), 2,7 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 20 mOhms à 2 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 4-Microfoot
Boîtier 4-UFBGA, WLCSP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI8424CDB-T1-E1CT

09:06:20 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,57000 0,57
10 0,48600 4,86
25 0,45440 11,36
100 0,36350 36,35
250 0,33752 84,38
500 0,28560 142,80
1 000 0,22069 220,69

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI8424CDB-T1-E1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,19536
  • Digi-Reel® ? : SI8424CDB-T1-E1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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