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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI8409DB-T1-E1CT-ND
Quantité disponible 7 127
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI8409DB-T1-E1

Description MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
Description étendue P-Channel 30V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI8409DB
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1580 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±12V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,47 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 46 mOhms à 1 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 4-Microfoot
Boîtier 4-XFBGA, CSPBGA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI8409DB-T1-E1CT

18:43:04 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,02000 1,02
10 0,90700 9,07
25 0,86160 21,54
100 0,70780 70,78
250 0,66160 165,40
500 0,58466 292,33
1 000 0,46157 461,57

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI8409DB-T1-E1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 3 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,41825
  • Digi-Reel® ? : SI8409DB-T1-E1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 127 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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