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Référence Digi-Key SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 7 494
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7852ADP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 80V 30A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7852ADP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1579 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1825pF à 40V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 5 W (Ta), 62,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 17 mOhms à 10A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7852ADP-T1-GE3CT

02:30:15 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,57000 1,57
10 1,41200 14,12
25 1,33240 33,31
100 1,13500 113,50
250 1,06572 266,43
500 0,93248 466,24
1 000 0,77264 772,64

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7852ADP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 6 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,69840
  • Digi-Reel® ? : SI7852ADP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 7 494 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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