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Référence Digi-Key SI7738DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 566
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7738DP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 150V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7738DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1579 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2100pF à 75V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 5,4W (Ta), 96W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 38 mOhms à 7,7A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7738DP-T1-GE3CT

18:36:38 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,37000 2,37
10 2,13000 21,30
25 2,00960 50,24
100 1,71190 171,19
250 1,60748 401,87
500 1,40652 703,26
1 000 1,16541 1 165,41

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7738DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 1,05343
  • Digi-Reel® ? : SI7738DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 386 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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