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Référence Digi-Key SI7489DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 2 393
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7489DP-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Description étendue P-Channel 100V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si7489DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1581 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4600 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 5,2 W (Ta), 83 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 41 mOhms à 7,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7489DP-T1-GE3CT

21:44:08 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,58000 2,58
10 2,31300 23,13
25 2,18200 54,55
100 1,85930 185,93
250 1,74580 436,45
500 1,52758 763,79
1 000 1,26571 1 265,71

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7489DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 1,14409
  • Digi-Reel® ? : SI7489DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 2 393 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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