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Référence Digi-Key SI7464DP-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 9 222
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI7464DP-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Description étendue N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI7464DP
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,8 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 240 mOhms à 2,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Boîtier PowerPAK® SO-8
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI7464DP-T1-GE3CT

11:04:58 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,73000 1,73
10 1,55400 15,54
25 1,46640 36,66
100 1,24940 124,94
250 1,17316 293,29
500 1,02652 513,26
1 000 0,85055 850,55

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI7464DP-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,76882
  • Digi-Reel® ? : SI7464DP-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 9 222 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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